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英飞凌推出新型低饱和压降VCEIGBT

发布日期:2015-02-09 14:32:47 【关闭】
摘要:英飞凌推出新型低饱和压降VCEIGBT

                      英飞凌推出新型低饱和压降VCEIGBT。此类IGBT专门针对50Hz至20kHz的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源以及光伏逆变器和逆变焊机中。新L5系列基于TRENCHSTOP5 薄晶片技术,使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。
凭借 25°C时典型饱和压降VCE为1.05V的傲人成绩,此类新型IGBT成功地将效率水平提升到一个新的高度——用L5系列代替它的前辈TRENCHSTOPIGBT,使效率在NPC1拓扑中提升高达0.1%,在 NPC2拓扑中提升0.3%。再加上VCE的温度系数为正,保持高效率的同时还能直接并联——树立了20kHz 以下频率的IGBT的行业标杆。铸造新 L5系列灵魂的 TRENCHSTOP5技术,不但能提供无与伦比的低传导损耗,还能将25℃时的总开关损耗降至1.6 mJ。综上所述,在低开关频率应用场合使用英飞凌新推出的低饱和压降IGBT能提升效率,增加可靠性并且缩小系统的尺寸。

 

  第一波面世的新L5 IGBT系列采用业界标准的TO-2473针封装技术。此外,为了满足需要进一步增强效率的应用场合,英飞凌还提供 TO-247 4针开尔文-发射极封装版(Kelvin-Emitter package)的 L5 IGBT。与标准的 TO-247 3针封装版相比,TO-247 4针封装版的开关损耗减少了 20%。因此,L5与TO-247 4针封装的结合,不但创造了终极版低传导能耗和低开关损耗成绩,还帮助英飞凌巩固了在为高功率市场提供高度创新并且与众不同的产品方面的领先地位。
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