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赛普拉斯推出具有片上错误校正码的4Mb异步SRAM

发布日期:2015-04-23 14:36:48 【关闭】
摘要:赛普拉斯推出具有片上错误校正码的4Mb异步SRAM

        赛普拉斯日前宣布,其具有错误校正码的4Mb异步SRAM正在出样。这些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的数据可靠性,而无需额外的错误校正芯片,从而简化了设计,并缩小了电路板尺寸。该器件可在工业、军事、通讯、数据处理、医疗、消费及汽车等应用中确保数据的可靠性。
由背景辐射引起的软错误可损坏存储器中的内容,造成重要数据的遗失。赛普拉斯新型异步SRAM系列中的硬件ECC模块可在线执行所有的错误校正功能,而无需用户干预,能达到业界最佳的小于0.1 FIT/Mb的软错误率性能。这些新款器件与现有的快速异步和低功耗SRAM管脚兼容,客户无需改变电路板设计,即可提高系统的可靠性。这些4Mb SRAM还有可选的错误指示信号,可指示单比特错误的校正。

 

  赛普拉斯异步SRAM业务部高级总监Sunil Thamaran说:“去年我们推出了首款具有片上ECC功能的16Mb异步SRAM,客户反响强烈。增加一款不同容量的产品,可使片上ECC技术造福于更多的应用。赛普拉斯一直致力于开发新的SRAM技术,为客户更好地服务,同时巩固我们在市场中不可撼动的领导地位。”

 

  赛普拉斯4Mb异步SRAM有三款可选——快速4Mb SRAM、MoBL4Mb SRAM、带PowerSnooze™功能的快速4Mb SRAM。每款均为业界标准的x8或x16配置。这些器件可在多种电压下工作,温度范围是-40°C 到 +85°C和-40°C 到 +125°C                   QQ图片2015042314351320140107114250_5390

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