在线客服 在线客服 分享按钮

返回顶部
关闭在线客服
首页 > 文章详细

安森美半导体推出全系列双倍数据速率终端稳压器

发布日期:2015-05-29 14:38:46 【关闭】
摘要:安森美半导体推出全系列双倍数据速率终端稳压器

         安森美半导体,推出一系列新的高性能器件进一步加强了低压降线性稳压器产品阵容,以支持双倍数据速率内存。NCP51200、 NCP51400、 NCP51510和NCP51199采用内置功率MOSFET,针对在电脑、数据网络、工业和手持消费市场等广泛应用中的特定应用如SDRAM DIMM内存、伺服器、路由器、智能手机、平板电脑平台、机顶盒、智能电视、打印机和个人电脑/笔记本电脑主机板。还提供经AEC-Q100认证的版本用于汽车应用如嵌入式GPS定位系统、信息娱乐和无线网络及蓝牙通信。

  这些高性能LDO支持DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4 标准,终端电压低至500毫伏。当与DDR4和LPDDR4使用时,每一种的主动源电流和汲电流能力达2安培。此外,当使用DDR4 和LPDDR4时,NCP51145可支持高达1.2 A。NCP/NCV51199可为DDR2和DDR3分别提供2 A和1.5 A源汲电流,而NCP51200和NCP51510指定运行于3 A峰值电流并支持远程感测。这些高度集成的DDR终端LDO的优势还包括软启动、片上热关断和 欠压锁定机制。每一款器件都有高速差分放大器,对线性电压和负载电流瞬变提供超快响应。所有这些器件还都兼容DDR1 和DDR2 ,易于升级到更新的DDR内存。工作温度范围指定为-40 °C 至 +125 °C,可扩展至+150 °C用于汽车版本。
安森美半导体集成电路产品副总裁Simon Keeton说:“DDR内存广泛扩展至许多非传统产品如连接和物联网促使增强的数据通信。我们现为整个DDR市场提供全面的变革器件,适用于新设计项目,以及直接替代现有器件;但具更高性能以支持将来内存升级。NCP51400和NCP51510是很先进的集成电路,能支持下一代DDR技术,而NCP51145结合卓越的性能及有吸引力的价格。此外,我们提供通过汽车认证的版本,使最新的信息娱乐和安全系统能跟上新车客户期望的数据要求。                 QQ图片2015052914332520140107114250_5390

相关商品