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Fairchild发布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

发布日期:2016-09-22 13:40:53 【关闭】
摘要:Fairchild发布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

        Fairchild,现在是安森美半导体的一部分,今天推出了其SuperFET III系列,用于650V N沟道MOSFET,这是该公司新一代的MOSFET,可满足最新的通信、服务器、电动车充电器和太阳能产品的更高功率密度、系统效率和优越的可靠性要求。

  SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和优异热性能,是高性能应用的理想之选。一流性能之外,该系列还提供了广泛的封装选择,赋予了产品设计者更大的灵活性,特别是对于尺寸受限的设计。
SuperFET III技术具有所有便捷驱动型超结 MOSFET的最低Rdson,因此具有一流效率。这要归功于先进的电荷平衡技术,与其前代SuperFET II产品相比,在同样的封装尺寸内,该技术将Rdson降低了44%。

  实现SuperFET III系列优异坚固性和可靠性的关键因素是其一流的体二极管以及比最接近的竞争产品高两倍的单脉冲雪崩能量性能。

  650V SuperFET III系列在关闭期间的峰值漏极-源极电压更低,改善了系统在低温运行条件下的可靠性,因为与室温下相比,-25℃结温时击穿电压自然降低了5%,而且低温下的峰值漏极-源极电压变得更高。 20140107114250_5390QQ图片20160922134039

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