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美高森美宣布提供下一代650V非穿通型绝缘栅双极晶体管产品

发布日期:2014-09-26 14:44:05 【关闭】
摘要:美高森美全新的功率器件通过提供业界最佳的损耗性能来改进效率,与最接近竞争厂商的IGBT产品相比,不仅效率提高了大约8% 。
美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)绝缘栅双极晶体管(insulated bipolar gate transistors, IGBT)产品,拥有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPT IGBT产品系列专为严苛环境工作而设计,非常适和用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。
     
      美高森美全新的功率器件通过提供业界最佳的损耗性能来改进效率,与最接近竞争厂商的IGBT产品相比,不仅效率提高了大约8% 。新的NPT IGBT器件而且还能够实现高达150 kHz的极高开关速率,在与美高森美的碳化硅(silicon carbide, SiC)续流二极管(free-wheeling diode)配对使用时,开关速率可以获得进一步提高。
     
      针对最高150 KHz的较低速率应用,这些领先的650V NPT IGBT通过替代成本更高的600V至650V MOSFET器件,能让开发人员降低总体系统成本。下一代650V产品系列中的所有器件都基于美高森美先进的Power MOS 8 技术,并且采用了最先进的晶圆薄化(wafer thinning)工艺。
      
      与竞争解决方案相比,显著降低了总体开关损耗,而且让器件在难以置信的快速开关频率下工作。利用公司在大功率、高可靠性市场的丰富传统,美高森美期望扩大IGBT市场份额,根据Yole Développement最新报告,这个市场正从现今的36亿美元增长到2018年的60亿美元。这些NPT IGBT器件容易并联(Vcesat正温度系数),可以提升大电流模块的可靠性。它们还具有额定短路耐受时间(short circuit withstand time rated, SCWT),可以在严苛的工业环境中可靠运作。新的IGBT器件备有各种封装,包括TO-247、T-MAX和模块。
美高森美宣布提供下一代650V非穿通型绝缘栅双极晶体管产品
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