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恩智浦业内首款低VCEsat双晶体管用于电源管理高效产品组合

发布日期:2014-10-10 14:33:00 【关闭】
摘要:恩智浦半导体最近推出业内首款双晶体管产品,具有低饱和电压特性,使用2mmx2mmDFN(分立式扁平无引脚封装)。

恩智浦半导体最近推出业内首款双晶体管产品,具有低饱和电压特性,使用2mmx2mmDFN(分立式扁平无引脚封装)。15种采用无引脚、薄型DFN2020-6封装的全新产品即将上市,它们的集电极电压(VCEO)为30V、60V和120V(PBSS4112PAN)。

这些超小型双晶体管的集电极电流的最大值达到2A,能够处理高达3 A的峰值电流。同时,它们的效率极高,具有低至60mV的超低饱和电压 (PBSS4230PANP),使其针对移动应用具有更低的功耗和更长的电池寿命。采用DFN2020-6封装的全新双晶体管非常适合用于负载和电源开关、智能手机和平板电脑等便携式应用中的电源管理和充电电路、背光装置以及其他空间受限型应用。恩智浦采用DFN2020封装的所有全新低VCEsat双晶体管产品都符合AEC-Q101汽车标准。DFN2020-6比标准SO8封装小8倍,拥有出色的热功耗能力。具有热沉的DFN封装只有0.6mm高,因此能替代SO8或SOT457等许多尺寸较大的晶体管封装。全新的DFN2020封装类产品丰富了恩智浦的低VCEsat晶体管产品组合,目前已包括36款采用无引脚和标准SMD封装的双晶体管,以及250多种高达500V和7A的单晶体管。
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