产品简介与关键参数
- 型号
- TLP185(SE)（订货时需同时指定型号与档位，例：TLP185(GB,SE）
- 品牌
- TOSHIBA 东芝 / Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
- 结构
- GaAs 红外发光二极管 + 光电晶体管（Phototransistor）
- 封装
- SO6（东芝封装代号 11-4M1S），重量 0.08 g（typ.）
- 隔离电压
- 3750 Vrms（min）
- 电流转换比
- 50% ~ 600%（GB 档 100% ~ 600%）
- 工作温度
- -55 ~ 110 °C
- 爬电距离 / 间隙
- 5.0 mm / 5.0 mm（min）
- 内部绝缘厚度
- 0.4 mm（min）
- 量产起始
- 2013-01
数据来源：东芝 TLP185(SE) 规格书 Rev.6.0，2018-01-05
产品资料图
图纸来源：东芝 TLP185(SE) 规格书第 1、9 页 · © 2015-2018 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
特性 Features
- 集电极-发射极电压：80 V（min）
- 电流转换比：50%（min），Rank GB 100%（min）
- 隔离电压：3750 Vrms（min）
- 工作温度范围：-55 ~ 110 °C
- 安全标准认证：
- UL 认证：UL1577，File No.E67349
- cUL 认证：CSA Component Acceptance Service No.5A，File No.E67349
- VDE 认证：EN60747-5-5、EN60065 或 EN60950-1（注 1）；EN62368-1（待认证，注 1）
- CQC 认证：GB4943.1、GB8898（日本与泰国工厂）
注 1：需要 EN60747-5-5 认证品时，请在订货时指定 Option（V4）。
应用领域 Applications
因其体积比 DIP 封装更小，特别适合可编程控制器等需要高密度表面贴装的设备。
绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings
（除非另有说明，Ta = 25 °C）
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 正向电流 | IF | 50 | mA |
| 正向电流降额（Ta ≥ 90 °C） | ΔIF/ΔTa | -1.5 | mA/°C |
| 正向脉冲电流 | IFP | 1 | A |
| 反向电压 | VR | 5 | V |
| 输入功耗 | PD | 100 | mW |
| 输入功耗降额（Ta ≥ 90 °C） | ΔPD/ΔTa | -2.86 | mW/°C |
| 结温 | Tj | 125 | °C |
| 集电极-发射极电压 | VCEO | 80 | V |
| 发射极-集电极电压 | VECO | 7 | V |
| 集电极电流 | IC | 50 | mA |
| 集电极功耗 | PC | 150 | mW |
| 集电极功耗降额（Ta ≥ 25 °C） | ΔPC/ΔTa | -1.5 | mW/°C |
| 总功耗 | PT | 200 | mW |
| 隔离电压（AC, 60 s, R.H. ≤ 60%） | BVS | 3750 | Vrms |
| 工作温度 | Topr | -55 ~ 110 | °C |
| 储存温度 | Tstg | -55 ~ 125 | °C |
| 引线焊接温度（10 s） | Tsol | 260 | °C |
数据来源：东芝规格书 Rev.6.0 第 2 页
电气特性 Electrical Characteristics
（除非另有说明，Ta = 25 °C）
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min. | Typ. | Max. | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 正向电压 | VF | IF = 10 mA | 1.1 | 1.25 | 1.4 | V |
| 反向电流 | IR | VR = 5 V | — | — | 5 | µA |
| 输入电容 | Ct | V = 0 V, f = 1 MHz | — | 30 | — | pF |
| 集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | IC = 0.5 mA | 80 | — | — | V |
| 发射极-集电极击穿电压 | V(BR)ECO | IE = 0.1 mA | 7 | — | — | V |
| 暗电流 | IDARK | VCE = 48 V | — | 0.01 | 0.08 | µA |
| 暗电流（高温） | IDARK | VCE = 48 V, Ta = 85 °C | — | 2 | 50 | µA |
| 集电极-发射极电容 | CCE | V = 0 V, f = 1 MHz | — | 10 | — | pF |
数据来源：东芝规格书 Rev.6.0 第 3 页
耦合电气特性 Coupled Electrical Characteristics
（除非另有说明，Ta = 25 °C）
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min. | Typ. | Max. | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电流转换比 | IC/IF | IF = 5 mA, VCE = 5 V | 50 | — | 600 | % |
| 电流转换比（GB 档） | IC/IF | IF = 5 mA, VCE = 5 V | 100 | — | 600 | % |
| 饱和电流转换比 | IC/IF(sat) | IF = 1 mA, VCE = 0.4 V | — | 60 | — | % |
| 饱和电流转换比（GB 档） | IC/IF(sat) | IF = 1 mA, VCE = 0.4 V | 30 | — | — | % |
| 集电极-发射极饱和压降 | VCE(sat) | IC = 2.4 mA, IF = 8 mA | — | — | 0.3 | V |
| 集电极-发射极饱和压降 | VCE(sat) | IC = 0.2 mA, IF = 1 mA | — | 0.2 | — | V |
| 集电极-发射极饱和压降（GB 档） | VCE(sat) | IC = 0.2 mA, IF = 1 mA | — | — | 0.3 | V |
| 截止状态集电极电流 | IC(off) | VF = 0.7 V, VCE = 48 V | — | 1 | 10 | µA |
数据来源：东芝规格书 Rev.6.0 第 3 页
CTR 分档表 Current Transfer Ratio Rank
订货时需同时指定型号与档位（例如 TLP185(GB,SE）；若涉及安全标准认证，则只写型号）。测试条件 IF = 5 mA，VCE = 5 V，Ta = 25 °C：
| 档位 Rank | CTR Min. | CTR Max. | 本体分档标记 |
|---|---|---|---|
| Blank（无档位） | 50 % | 600 % | Blank, YE, GR, GB, BL, Y+, G, G+, B |
| Y | 50 % | 150 % | YE, Y+ |
| GR | 100 % | 300 % | GR, G, G+ |
| GB | 100 % | 600 % | GB, GR, BL, G, G+, B |
| BL | 200 % | 600 % | BL, B |
| YH | 75 % | 150 % | Y+ |
| GRL | 100 % | 200 % | G |
| GRH | 150 % | 300 % | G+ |
| BLL | 200 % | 400 % | B |
数据来源：东芝规格书 Rev.6.0 第 3 页 Table 8.1
选型提示：CTR 越高，同样输入电流可驱动更大输出电流。若原设计未指定档位（Blank），可按 GB 档（100~600%）订货以覆盖最宽区间；对功耗敏感的场合可选更高 CTR 档以降低 LED 侧驱动电流。
隔离特性 Isolation Characteristics
（除非另有说明，Ta = 25 °C）
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min. | Typ. | Max. | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 输入-输出总电容 | CS | VS = 0 V, f = 1 MHz | — | 0.8 | — | pF |
| 隔离电阻 | RS | VS = 500 V, R.H. ≤ 60% | 1×10¹² | 10¹⁴ | — | Ω |
| 隔离电压 | BVS | AC, 60 s | 3750 | — | — | Vrms |
| 隔离电压（油中） | BVS | AC, 1 s in oil | — | 10000 | — | Vrms |
| 隔离电压（油中） | BVS | DC, 60 s in oil | — | 10000 | — | Vrms |
数据来源：东芝规格书 Rev.6.0 第 4 页
机械参数与安全距离
| 项目 | Min. | 单位 |
|---|---|---|
| 爬电距离 Creepage distances | 5.0 | mm |
| 电气间隙 Clearance | 5.0 | mm |
| 内部绝缘厚度 Internal isolation thickness | 0.4 | mm |
数据来源：东芝规格书 Rev.6.0 第 2 页（5.1 Mechanical Parameters）
资料下载
规格书版本 Rev.6.0 · 2018-01-05 · © 2015-2018 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
现货供应与国产替代
TLP185 系列为我司常备光耦型号之一，支持原装现货与批量供货。同时，我司为国产光耦品牌 OCIC 卓睿科总代理，提供参数对标的国产替代型号 CYTLP185 系列：
| 东芝原型号 | OCIC 替代型号 | 封装 | 隔离电压 | CTR |
|---|---|---|---|---|
| TLP185(GB-TPL,SE | CYTLP185(GB-TP) | SOP-4 | 3750 Vrms | 50 ~ 600 % |
| TLP185(GR-TPL,SE | CYTLP185(GR-TP) | SOP-4 | 3750 Vrms | 50 ~ 600 % |
| TLP185(BL-TPL,SE | CYTLP185(BL-TP) | SOP-4 | 3750 Vrms | 50 ~ 600 % |
替代型号在隔离电压（3750 Vrms）、集电极-发射极电压（≥80 V）、CTR 区间（50~600%）与工作温度范围（-55~110 °C）上与本型号对齐。
常见问题
TLP185 与 TLP185(SE 是什么关系？
SE 为东芝的封装/版本标识。本页参数对应 TLP185(SE 规格书 Rev.6.0（2018-01-05）。
订货时怎么指定档位？
需同时写明型号与档位，例如 TLP185(GB,SE。若涉及安全标准认证，则只写型号即可。
需要 EN60747-5-5 认证怎么办？
请在订货时指定 Option（V4）；EN62368-1 在 Rev.6.0 版本时为待认证状态，最新进度请以东芝官方资料为准。
有没有国产替代可以降本？
有。OCIC 卓睿科 CYTLP185 系列在关键指标上对齐本型号，可提供 UL、CQC 认证资料与环保报告，欢迎索取样品对比测试。