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CY4N26S(TP1) 光耦

正向电压 VF 1.5反向电压 VR 6正向电流 IF 60集电极-发射极电压 VCEO 30工作温度 TA -40~+100

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

关键参数速览

正向电压 VF
1.5
反向电压 VR
6
正向电流 IF
60
集电极-发射极电压 VCEO
30
工作温度 TA
-40~+100

产品特点 Features

  • 2022-4-26
  • DS-CY4NXX-CN-V01
  • Proprietary & Confidential
  • CY4NXX

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

参数符号额值单位
正向电流I60mA
反向电压V6V
输入 正向峰值电流 (300 s, 2% Duty Cycle)I3A
输入功耗120mW
输入功耗降额 25°C 以上1.14mW/°C
输出功耗150mW
输出功耗降额 25°C 以上1.76mW/°C
输出 集电极-发射极电压V30V
集电极-基极电压V70V
发射极-集电极电压V7V
总功耗270mW
总功耗降额 25°C 以上2.94mW/°C
工作温度Topr-40~+100°C
储存温度Tstg-40~+125°C
结温T-40~+125°C
焊接温度(10 秒)Tsol260°C 2022-4-26
DS-CY4NXX-CN-V01
数据来源:原厂规格书

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

参数符号测试等条件最小值典型值最大值单位
正向电压VI =10mA1.21.5V
反向电流IV =6V--10µA
集电极暗电流IV =10V--50nA
基极暗电流IV =10V--20nA
集电极-发射极击穿电压BVI =0.1mA, I =030--V
集电极-基极击穿电压BVI =0.1mA, I =070--V
发射极-集电极击穿电压BVI =100µA, I =07--V
CY4N35,CY4N36,CY4N37100
CY4N25,CY4N26I =10mA, V =10V20
CY4N27,CY4N2810

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深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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