产品实拍图
本型号暂无已核对的专属实拍图。 为避免图文不符，本页不放同系列近似图；如需实物照片，请联系销售获取本批次实拍。
产品应用与封装尺寸
典型应用电路（原厂规格书应用章节） 封装尺寸图（原厂规格书机械尺寸章节） 图纸取自原厂规格书，点击可放大查看原始尺寸标注。
关键参数速览
正向电压 VF 60mA 正向电流 IF 50 集电极-发射极电压 VCEO 50
产品特点 Features
6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR C N Y 1 7 - X Series PHOTOCOUPLER CNY17F-X Series
绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings（TA = 25°C）
超过下表数值可能造成器件永久损坏，设计时请留余量。
参数 符号 额定值 单位 Forward current I 50 mA Peak forward current (t = 10µs) I 1 A Power dissipation (T = 25°C) 70 mW Derating factor (above 100°C) 3.8 mW/°C Collector-Emitter voltage V 80 V Collector-Base voltage*1 V 80 V Output Emitter-Collector voltage V 7 V Power dissipation (T = 25°C) 150 mW Derating factor (above 100°C) 9.0 mW/°C Total power dissipation P 200 mW
数据来源：原厂规格书
安全与绝缘额定值（DIN EN/IEC 60747−5−5）
参数 符号 额定值 单位 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR C N Y 1 7 - X Series PHOTOCOUPLER CNY17F-X Series Operating temperature T -55~+110 °C Storage temperature T -55~+125 °C Soldering temperature T 260 °C
电气特性 Electrical Characteristics（TA = 25°C）
参数 符号 最小 Typ.* 最大 单位 条件 Forward voltage V - - 1.65 V I = 60mA Input capacitance C - 18 - pF V = 0, f = 1MHz I - - 20 nA V = 10V, I = 0mA dark current only CBO CB F Collector-Emitter dark current I - - 50 nA V = 10V, I = 0mA CEO CE F BV 80 - - V I = 1mA, I = 0mA breakdown voltage CEO C F BV 80 - - V I = 0.1mA, I = 0mA breakdown voltage only CBO C F BV 7 - - V I = 0.1mA, I = 0mA breakdown voltage ECO E F Collector-Emitter capacitance C - 8 - pF VCE = 0V, f = 1MHz 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR C N Y 1 7 - X Series PHOTOCOUPLER CNY17F-X Series Transfer Characteristics (T =25°C unless specified otherwise) 40 - 80 Current 63 - 125
特性曲线（Typical Performance Curves）
典型特性曲线（原厂规格书性能曲线章节）
相关 / 可替代型号
以上型号来自规格书与型号命名比对，参数需以各自规格书为准；下单前请与销售确认封装与脚位。
订货信息与供货形式
包装 S 型号 Option S Type Option S1 Type
应用领域 Applications
Power supply regulators Digital logic inputs Microprocessor inputs CNY17F-X 1. Anode 2. Cathode 3. No Connection 4. Emitter 5. Collector 6. No Connection PHOTOCOUPLER CNY17F-X Series CNY17-1
资料下载
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