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2SB1184 二极管、三极管等分立器件

电流传输比 CTR 390集电极-发射极电压 VCEO −50

产品实拍图

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关键参数速览

电流传输比 CTR
390
集电极-发射极电压 VCEO
−50

产品特点 Features

  • 1) Low VCE(sat).
  • 2SB1184 2SB1243
  • VCE(sat) = -0.5V (Typ.)
  • (IC/IB = -2A / -0.2A) 3.0±5.1 6.5±0.2 +0.2 C0.5 2.3 +0.2 −0.1 6.8±0.2 2.5±0.2
  • 5.1 −0.1 0.5±0.1
  • 2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864. 2.0±4.4
  • 3.0+ 1.0− 5.0±5.9 9.0
  • 5.5 9.0 5.1
  • 0.75 0.65±0.1 5.2 0.65Max. 0.1
  • 0.9 5.0±5.41
  • 0.55±0.1 0.5±0.1
  • !!!!Structure 2.3±0.2 2.3±0.2 1.0±0.2
  • (1) (2) (3)
  • Epitaxial planar type
  • 2.54 2.54
  • (1) (2) (3) 1.05 0.45±0.1

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

参数符号限值单位
Collector-base voltageVCBO−60V
Collector-emitter voltageVCEO−50V
Emitter-base voltageVEBO−5V
IC−3A (DC)
ICP−4.5 1A (Pulse) ∗1 W
Collector power 2SB1184
PC15W (TC =25°C)
2SB12431W ∗2
Junction temperatureTj150°C
Storage temperatureTstg−55~+150°C
∗1 Single pulse, Pw=100ms
∗2 Printed circuit board, 1.7mmthick, collector copperplating 100mm2 orlarger.
数据来源:原厂规格书

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

参数符号最小典型最大单位条件
Collector-base breakdownvoltage BVCBO−60−−V IC=−50µA
Collector-emitter breakdownvoltage BVCEO−50−−V IC =−1mA
Emitter-base breakdown voltageBVEBO−5−−V IE=−50µA
Collector cutoff currentICBO−−−1µA VCB=−40V
Emitter cutoff currentIEBO−−−1µA VEB=−4V
Collector-emitter saturationvoltage VCE(sat)−−−1V IC/IB=−2A/−0.2A ∗
Base-emitter saturation voltageVBE(sat)−−−1.2V IC/IB=−1.5A/−0.15A ∗
DC current transfer ratiohFE82−390− VCE=−3V, IC =−0.5A ∗
Transition frequencyfT−70−MHz VCE=−5V, IE =0.5A, f=30MHz
Output capacitanceCob−50−pF VCB=−10V, IE =0A, f=1MHz
PackageTaping
CodeTLTV2
Type hFE Basic 2SB1184 PQR 2SB1243 PQRordering unit (pieces)2500 −2500 −

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营业时间:周一至周六 9:30 — 18:00
深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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