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CYPC817(C-TP2-G) 晶体管输出光耦

正向电压 VF 1.4集电极-发射极电压 VCEO 80

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

关键参数速览

正向电压 VF
1.4
集电极-发射极电压 VCEO
80

产品特点 Features

  • Parameter Symbol Condition Min. Typ. Max. Unit
  • 正向电压 V I =20mA - 1.2 1.4 V
  • 输入 反向电流 I V =4V - - 10 µA
  • 终端电容 C V=0, f=1kHz - 30 250 pF
  • 集电极暗电流 I V =20V - - 100 nA
  • CEO CE
  • 输出 集电极-发射极击穿电压 BV I =0.1mA, I =0 80 - - V
  • CEO C F
  • 发射极-集电极击穿电压 BV I =10µA, I =0 6 - - V
  • ECO E F
  • ISO 40~60%R.H.
  • 隔离电容 Cf V=0, f=1MHz - 0.6 1.0 pF
  • V =5V, I =2mA,
  • 截止频率 Fc CE C - 80 - kHz
  • R =100Ω, -3dB
  • 上升时间 Tr - 4 18 µs

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

参数符号条件最小典型最大单位
CYPC817
数据来源:原厂规格书

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

参数符号条件最小典型最大单位
正向电压VI =20mA-1.21.4V
输入 反向电流IV =4V--10µA
终端电容CV=0, f=1kHz-30250pF
集电极暗电流IV =20V--100nA
输出 集电极-发射极击穿电压BVI =0.1mA, I =080--V
发射极-集电极击穿电压BVI =10µA, I =06--V

相关 / 可替代型号

以上型号来自规格书与型号命名比对,参数需以各自规格书为准;下单前请与销售确认封装与脚位。

应用领域 Applications

 开关电源,智能电表 工业控制,测量仪器 办公设备,比如复印机结构原理图和封装(Ta=25C)CYPC817

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