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CYTLP187(TP) 晶体管输出光耦

正向电压 VF 1.6集电极-发射极电压 VCEO 60

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

产品应用与封装尺寸

图纸取自原厂规格书,点击可放大查看原始尺寸标注。

关键参数速览

正向电压 VF
1.6
集电极-发射极电压 VCEO
60

产品特点 Features

  • V =5V,I =2Ma
  • 截止评论 f 1 6 - KH c Z
  • R =100Ω,-3dB
  • 上升时间 t - 60 300 μs V =2V, I =10mA r CE C
  • 下降时间 t - 53 250 μs R =100Ω f L
  • Fig.1 Forward Current vs Fig.2 Collector Power Dissipation vs
  • Ambient Temperature Ambient Temperature
  • 2024-07-24
  • Proprietary & Confidential
  • CYTLP187
  • 达林顿光电三极管输出光耦
  • Fig.3 Collector-emitter Saturation Voltage Fig.4 Forward Current vs vs Forward Current Forward Voltage
  • Fig.9 Collector Dark Current vs Fig.10 Response Time vs
  • Ambient Temperature Load Resistance
  • Fig.11 Frequency Response
  • 备注:上述特性曲线仅供参考,以生产试验为保证。

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

项目符号最小典型最大单位测试条件
CYTLP187
数据来源:原厂规格书

安全与绝缘额定值(DIN EN/IEC 60747−5−5)

项目符号最小典型最大单位测试条件
CYTLP187

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

项目符号最小典型最大单位测试条件
正向电压V-1.41.6V I=20mA
输入 反向电流I--10μA V=5V
输入电容Ct-30250pFV=0V,f=1KH
集电极暗电流I-10-μA V=10V,I =0
CEOCEF
输出 集电极-发射极崩溃电压 BV60--V I=0.1mA,I =0
CEOCF
发射极-集电极崩溃电压 BV6--V I=10μA,I =0
ECOEF
集电极电流I20-80mA V=2V,I =1mA

特性曲线(Typical Performance Curves)

相关 / 可替代型号

以上型号来自规格书与型号命名比对,参数需以各自规格书为准;下单前请与销售确认封装与脚位。

应用领域 Applications

需要高密度安装的混合基板颗编程控制器

资料下载

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