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CYTLP199(TPD2) 晶体管输出光耦

正向电压 VF 1.8隔离电压 VISO AC 60s工作温度 TA 5

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

关键参数速览

正向电压 VF
1.8
隔离电压 VISO
AC 60s
工作温度 TA
5

产品特点 Features

  • 项目 符号 最小 典型 最大 单位 测试条件
  • 开启时间 t - 0.3 - I =10mA, C =1000pF
  • ON F L
  • 关断时间 t - 1 - R =510kΩ,
  • OFF SH
  • CYTLP199
  • MOS 栅极驱动光耦
  • 2024-06-21
  • DS-CYTLP199-CN-V01
  • Proprietary & Confidential
  • 推荐的表面贴装引线形式布局
  • Unit:mm
  • 外观尺寸:
  • A B D0 D1 E F
  • 4.4±0.1 7.4±0.1 1.5+0.1/-0 1.5±0.1 1.75±0.1 7.5±0.05
  • P0 P1 P2 t W K

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

项目符号最小典型最大单位测试条件
CYTLP199
数据来源:原厂规格书

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

项目符号最小典型最大单位测试条件
正向电压V1.11.41.8VI =10mA
输入 反向电流I--10μAV =5V
输入电容Ct-45-pFV=0V,f=1MH
输出正向电压V-10-VI =10μA
输出反向电流I-1-nAV =10V
79-I =10mA
开路电压VV
-5-I=10mA,Ta=125℃
1230-I =10mA
短路电流IμA
-12-I=10mA,Ta=125℃
总电容 (输入-输出)C -0.8-pFV =0V,f=1MH
SSZ
隔离电阻R 10121014-ΩV=500V,R.H.≤60%
隔离电压BV 3750VrmsAC 60s

应用领域 Applications

 测试仪器 MOSFET 栅极驱动

产品应用与封装尺寸

图纸取自该型号原厂规格书的应用电路与封装尺寸章节,点击图片可放大查看原始尺寸标注。

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