产品应用与封装尺寸
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图纸取自原厂规格书，点击可放大查看原始尺寸标注。
关键参数速览
- 反向电压 VR
- 5
- 正向电流 IF
- 25
- 隔离电压 VISO
- 3750 (备注 3)
- 电源电压 VCC
- 6
- 工作温度 TA
- −0.67
产品特点 Features
- 逆变逻辑型 (集电极开路输出)
- 封装形式: SO6
- 工作温度: -40 to 110°C
- 电源电压: 2.7V to 5.5V
- 数据传输率: 10MBd(typ.)(NRZ)
- 最大输出电流: 5.0 mA(max.)
- 电源电流: 4 mA(max.)
- 共模抑制比: ±20 kV/µs (min)
- 隔离电压: 3750 Vrms (min)
- 参数 符号 测试电路 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
- 高电平到低电平 I =0→7.5 mA, R =350 Ω,
- F L t - - 100 pHLr
- 传输延迟时间 (H/L) C =15 pF
- 低电平到高电平 I =7.5→0 mA, R =350 Ω,
- T - - 100 pLH
- 传输延迟时间(L/H) C =15 pF
绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings（TA = 25°C）
超过下表数值可能造成器件永久损坏，设计时请留余量。
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 正向电流 | I | 25 | mA |
| 正向电流降额 (Ta ≥110°C) | ΔI /ΔT | −0.67 | mA / °C |
| 正向脉冲电流 | I | 40(备注 1) | mA |
| 正向脉冲电流降额(Ta ≥110°C) | ΔI /ΔT | -1.0 | mA/ °C |
| 输入 正向瞬态峰值电流 | I | 1(备注 2) | A |
| 正向瞬态峰值电流降额(Ta ≥110°C) | ΔI /ΔT | -25 | mA/ °C |
| 输入功耗 | P | 40 | mW |
| 输入功耗降额(Ta ≥110°C) | ΔP /ΔT | -1.0 | mW/ °C |
| 反向电压 | V | 5 | V |
| 输出电流 | I | 25 | mA |
| 输出电压 | V | 6 | V |
| 输出 电源电压 | V | 6 | V |
| 输出功耗 | P | 60 | mW |
| 输出功耗减额(Ta ≥110°C) | ΔP /ΔT | -1.5 | mW/ °C |
| 隔离电压 (AC, 1min., R.H.≤ 60%) | BViso | 3750 (备注 3) | Vrms |
| 工作温度 | Topr | -40~+100 | °C |
| 储存温度 | Tstg | -55~+125 | °C |
| 回流焊（10s） | Tsol | 260 | °C |
| 备注 1:脉宽 (PW) ≤ 1 ms, duty = 50 % | |||
| 备注 2:脉宽 (PW) ≤ 1 µs, 300 pps | 2021-9-20 | ||
| DS-CYTLP2362-CN-V03 |
数据来源：原厂规格书
特性曲线（Typical Performance Curves）
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