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EL2501(K)-G 4-pin DIP

The EL2501-G series of dev ices each consist of an infrared emitting diodes, optically coupled to a phototransistor detector encapsulated with green They are packaged in a 4-pin DIP package and availa
4-pin DIP正向电压 VF 10mA电流传输比 CTR 400正向电流 IF 60集电极-发射极电压 VCEO 80隔离电压 VISO 1011

产品实拍图

本页为博科信现货实拍(器件丝印 见规格书)。图片已加防盗水印,需要最新批次照片或未加水印原图请联系销售;点击图片可放大。

产品应用与封装尺寸

图纸取自原厂规格书,点击可放大查看原始尺寸标注。

引脚定义与内部结构

引脚符号名称
1Anode
2Cathode
3Emitter
4Collector
数据来源:原厂规格书引脚图

关键参数速览

正向电压 VF
10mA
电流传输比 CTR
400
正向电流 IF
60
集电极-发射极电压 VCEO
80
隔离电压 VISO
1011

产品特点 Features

  • Halogens free.
  • Current transfer ratio
  • (CTR: 80~600% at IF =5mA, VCE =5V)
  • High isolation voltage between input
  • and output (Viso=5000 V rms )
  • Creepage distance >7.62 mm
  • Operating temperature up to +110°C
  • Compact small outline package
  • Pb free and RoHS compliant.
  • UL approval
  • VDE approval
  • SEMKO approval

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

参数符号额定值单位
Forward currentI60mA
Peak forward current (PW=100us,duty
cycle = 1%)I1 100A mW
Derating factor ( aboveT = 100°C)
a5.8 150mW/°C mW
Derating factor (above T = 100°C)
a5.8mW/°C
Collector currentI50mA
Collector-Emitter voltageV80V
Emitter-Collector voltageV7V
Total power dissipationP200mW
数据来源:原厂规格书

安全与绝缘额定值(DIN EN/IEC 60747−5−5)

参数符号额定值单位
4 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR
EL2501-GSeries
Operating temperatureT-55 ~ +110°C
Storage temperatureT-55 ~ +125°C
Soldering temperatureT260°C

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

参数符号最小Typ.*最大单位条件
Forward voltageV-1.21.4V I =10mA
Input capacitanceC-50250pF V =0, f = 1MHz
I--100nA V= 80V, I = 0mA
currentCEOCEF
80--I =0.1mA
breakdown voltageBV CEOV C
BV7--V I =0.1mA
breakdown voltageECOE
Transfer Characteristics(T =25°Cunlessspecifiedotherwise)
EL2501N80-600
EL2501H80-160
EL2501W130-260
EL2501LCTR200-400% I =5mA ,V = 5V
Transfer ratioFCE
EL2501K300-600
EL2501Q100-200
EL2501D150-300
-0.10.3I =10mA ,I = 2mA
saturation voltageV CE(sat)V F VC = 1K Vdc,
Isolation resistanceR1011--Ω IO
IO40~60% R.H.
Floating capacitanceC-0.61.0pF V= 0, f = 1MHz
V= 5V, I = 2mA
Cut-off frequencyfc-80-CEC
R =100Ω, -3dB
Rise timet-318
rµs V= 10V, I = 2mA,
Fall time-518
tµs R= 100Ω

特性曲线(Typical Performance Curves)

相关 / 可替代型号

以上型号来自规格书与型号命名比对,参数需以各自规格书为准;下单前请与销售确认封装与脚位。

订货信息与供货形式

包装S型号
OptionSType
OptionS1Type
OptionS2Type

应用领域 Applications

Programmable controllersTelecommunication equipments4 PIN DIP PHOTOTRANSISTOREL2501-G SeriesPHOTOCOUPLER

资料下载

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营业时间:周一至周六 9:30 — 18:00
深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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