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EL357N(C)(TA)-G 4-pin small

The EL357N-G series contains an infrared emitting diode, optically coupled to a phototransistor detector. The devices in a 4-pin small outline SMD package. None Standard SMD option 100 units per tube
4-pin small正向电压 VF 1.4电流传输比 CTR 400正向电流 IF 400集电极-发射极电压 VCEO 80隔离电压 VISO 5×1010

产品实拍图

本页为博科信现货实拍(器件丝印 见规格书)。图片已加防盗水印,需要最新批次照片或未加水印原图请联系销售;点击图片可放大。

引脚定义与内部结构

引脚符号名称
4PIN
5I
6V
7V
数据来源:原厂规格书引脚图

关键参数速览

正向电压 VF
1.4
电流传输比 CTR
400
正向电流 IF
400
集电极-发射极电压 VCEO
80
隔离电压 VISO
5×1010

产品特点 Features

  • Halogens free
  • (Br <900 ppm ,Cl <900 ppm , Br+Cl < 1500 ppm)
  •  Current transfer ratio
  • (CTR: 50~600% at IF =5mA, VCE =5V)
  •  High isolation voltage between input and output (Viso=3750 V rms )
  •  Compact 4 Pin SOP with a 2.0mm profile
  •  Compliance with EU REACH
  •  Pb free and RoHS compliant
  •  UL and cUL approved (No. E214129)
  •  VDE approved (No. 132249)
  •  SEMKO approved
  •  NEMKO approved

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

参数符号额定值单位
Forward currentI50mA
Peak forward current (1us, pulse)I1 70A mW
Derating factor (about Ta=100°C)D150mW
Derating factor (above T = 70°C)C
a3.7mW/°C
Output Collector currentI50mA
Collector-Emitter voltageV80V
Emitter-Collector voltageV7V
Total Power DissipationP200mW
数据来源:原厂规格书

安全与绝缘额定值(DIN EN/IEC 60747−5−5)

参数符号额定值单位
Operating temperatureT-55 ~ +110°C
Storage temperatureT-55 ~ +125°C
Soldering Temperature*2T260°C
Ver.:9 ReleaseDate:06/27/2025狀態:Approved(正式發行)

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

参数符号最小典型最大单位条件
Forward voltageV-1.21.4VI = 20mA
Input capacitanceC-30250pFV = 0, f = 1kHz
I--100nAV = 20V, I = 0mA
currentCEOCE F
BV80--VI = 0.1mA
breakdown voltageCEOC
BV7--VI = 0.01mA
breakdown voltageECOE
Transfer Characteristics(T =25°Cunlessspecifiedotherwise)
EL357N50-600
EL357NA80-160
EL357NB130-260
Transfer EL357NCCTR200-400%I F = 5mA ,V CE = 5V
EL357ND300-600
EL357NE100-200
EL357NF150-300
V-0.10.2V I= 20mA ,I = 1mA
saturation voltageCE(sat)F C V = 500Vdc,
Isolation resistanceR5×1010--ΩIO 40~60% R.H.
Floating capacitanceC-0.61.0pFV = 0, f = 1MHz
Rise timet--18
rV = 2V, I = 2mA, R = 100Ω
Fall timet--18L
Ver.:9 ReleaseDate:06/27/2025狀態:Approved(正式發行)

相关 / 可替代型号

以上型号来自规格书与型号命名比对,参数需以各自规格书为准;下单前请与销售确认封装与脚位。

订货信息与供货形式

357Ndenotes器件型号
EL357N-Gseries
DeviceMarking

应用领域 Applications

DC-DC ConvertersProgrammable controllersTelecommunication equipmentsDATASHEET4 PIN SOP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLEREL357N-G series

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营业时间:周一至周六 9:30 — 18:00
深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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