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FODM121AR2V 4-pin mini

FODM121B: 50–150% The FODM124, FODM121 series, and FODM2701 FODM121C: 100–200% consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a phototransistor in a compact 4-pin mini-flat FODM2705: 5
4-pin mini正向电压 VF 1.3正向电流 IF 50集电极-发射极电压 VCEO 40工作温度 TA -40 to +110

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

产品应用与封装尺寸

图纸取自原厂规格书,点击可放大查看原始尺寸标注。

引脚定义与内部结构

引脚符号名称
1A
2I
3EMITTER
4COLLECTOR
数据来源:原厂规格书引脚图

关键参数速览

正向电压 VF
1.3
正向电流 IF
50
集电极-发射极电压 VCEO
40
工作温度 TA
-40 to +110

产品特点 Features

  • More than 5mm creepage/clearance ■ Digital logic inputs
  • FODM2701,
  • Compact 4-pin surface mount package ■ Microprocessor inputs
  • (2.4mm maximum standoff height) ■ Power supply monitor
  • Current Transfer Ratio in selected groups ■ Twisted pair line receiver
  • DC Input: ■ Telephone line receiver
  • FODM121: 50–600% FODM2701: 50–300%
  • FODM121

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

符号参数值单位
FODM124,
T StorageTemperature-40 to +125°C
T OperatingTemperature-40 to +110°C FODM2701,
I ContinuousForward Current50mA
I Peak ForwardCurrent (1µs pulse, 300 pps.)1A
P Power DDissipation70mW FODM2705
Deratelinearly (above 25°C)0.65mW/°C
ContinuousCollector Current80mA
P PowerDissipation150mW
Deratelinearly (above 25°C)2.0mW/°C 4-Pin
V Collector-EmitterVoltage FODM2701, FODM270540V
FODM121 Series,FODM124 80Full
V Emitter-CollectorVoltage7V
数据来源:原厂规格书

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

符号参数测试条件器件最小Typ.*最大单位
VForward VoltageI = 10mAFODM121 Series,1.01.3V
I = 5mAFODM27011.4
BVBreakdown VoltageI = 1mA, I = 0FODM121 Series, FODM2701,80 40V Optocouplers
BVEmitter to CollectorI = 100µA, I = 0All7V
ICollector DarkV = 40V, I = 0All100nA
CCapacitanceV = 0V, f = 1MHzAll10pF

特性曲线(Typical Performance Curves)

相关 / 可替代型号

以上型号来自规格书与型号命名比对,参数需以各自规格书为准;下单前请与销售确认封装与脚位。

应用领域 Applications

FODM2701,DC Input: ■ Telephone line receiverFODM121: 50–600% FODM2701: 50–300%FODM121

资料下载

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营业时间:周一至周六 9:30 — 18:00
深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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