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PC851XNNSZ1H 晶体管输出光耦

正向电压 VF 1.4正向电流 IF 4.0集电极-发射极电压 VCEO 350隔离电压 VISO 1011工作温度 TA -25 to +100

产品实拍图

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产品应用与封装尺寸

图纸取自原厂规格书,点击可放大查看原始尺寸标注。

关键参数速览

正向电压 VF
1.4
正向电流 IF
4.0
集电极-发射极电压 VCEO
350
隔离电压 VISO
1011
工作温度 TA
-25 to +100

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

参数符号额定值单位
Collector-emitter voltageV350V
Emitter-collector voltageV6V
Collector currentI50mA
Operating temperatureT-25 to +100℃
Storage temperatureT-55 to +125℃
数据来源:原厂规格书

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

参数符号条件最小典型最大单位
Forward voltageV I=20mA-1.21.4V
Terminal capacitanceCV=0, f=1kHz-30250pF
Dark currentI V=200V, I =0--1μA
Output Collector-emitter breakdownvoltage BV I=0.1mA, I =0350--V
Emitter-collector breakdownvoltage BV I=10μA, I =06--V
Collector currentI c I F=5mA, V CE =5V2.04.0-mA
Collector-emitter saturationvoltage V I=20mA, I =1mA- 5×0.10.3V
Isolation resistanceR ISODC500V 40 to 60%RH10101011-Ω
charac- Floating capacitanceC fV=0, f=1MHz-0.61.0pF
Cut-off frequencyf-50-kHz
Rise timetr V=2V, I =2mA-410μs
Fall timet f R L=100Ω-512μs

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