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TLP120(GB-TPL,F) 晶体管输出光耦

正向电压 VF 1.3正向电流 IF 50隔离电压 VISO 3750 (AC, 1min., R.H. ≤ 60%)工作温度 TA 50

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

关键参数速览

正向电压 VF
1.3
正向电流 IF
50
隔离电压 VISO
3750 (AC, 1min., R.H. ≤ 60%)
工作温度 TA
50

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

Characteristic符号额定值单位
Forward currentI50mA
Forward current derating∆I / °CΩ0.7 (Ta ≥ 53°C)mA / °C
Pulse forward currentI1 (100µs pulse, 100pps)A
Junction temperatureT125°C
CollectorΩemitter voltageV80V
EmitterΩcollector voltageV7V
rotceteD Collector currentI C50mA
Collector power dissipationP150mW
∆P / °CΩ1.5mW / °C
derating (Ta ≥ 25°C)C
Junction temperatureT125°C
Storage temperature rangeTΩ55~125°C
Operating temperature rangeTΩ55~100°C
Lead soldering temperatureT260 (10s)°C
Total package power dissipationP200mW
∆P / °CΩ2.0mW / °C
derating (Ta ≥25°C)T
Isolation voltage (Note1) BV3750 (AC, 1min., R.H. ≤ 60%)Vrms
数据来源:原厂规格书

安全与绝缘额定值(DIN EN/IEC 60747−5−5)

Characteristic符号额定值单位
TLP120

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

Characteristic符号测试条件最小典型最大单位
Forward voltageV I= ±10 mA1.01.151.3V
CapacitanceC V= 0, f = 1 MHz—60—pF
V I= 0.5 mA80——V
rotceteD breakdown voltageV (BR)ECO I E= 0.1 mA7——V
V= 48 V—10100nA
V= 48 V, Ta = 85°C—250µA
C V= 0, f = 1 MHz—10—pF
50—600TLP120

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