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TLP351(F) 可控硅输出光耦

正向电压 VF 1.70正向电流 IF 1.70隔离电压 VISO 3750工作温度 TA 1.70

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

引脚定义与内部结构

引脚符号名称
1N.C.
2Anode
3Cathode
4N.C.
5GND
6VO (output)
7N.C.
数据来源:原厂规格书引脚图

关键参数速览

正向电压 VF
1.70
正向电流 IF
1.70
隔离电压 VISO
3750
工作温度 TA
1.70

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

特性符号额定值单位
Forward currentIF20mA
Forward current derating (Ta ≥ 85°C)∆IF/∆Ta−0.54mA/°C
Peak transient forward current(Note 1) IFP1A
Power DissipationPD40mW
Power Dissipation Derating (Ta ≥ 85°C)∆PD /°C-1.0mW/°C
Junction temperatureTj125°C
“H” peak output current(Note 2) IOPH−0.6A
“L” peak output current(Note 2) IOPL0.6A
Output voltageVO35V
Supply voltageVCC35V
Output Power DissipationPO260mW
Output Power Dissipation Derating (Ta ≥85°C) ∆PO /°C-6.5mW/°C
Junction temperatureTj125°C
Operating frequency(Note 3) f25kHz
Storage temperature rangeTstg−55 to 125°C
Operating temperature rangeTopr−40 to 100°C
Lead soldering temperature (10 s)(Note 4) Tsol260°C
Isolation voltage (AC, 60 s, R.H. ≤ 60 %)(Note 5) BVS3750Vrms
数据来源:原厂规格书

安全与绝缘额定值(DIN EN/IEC 60747−5−5)

备注1:WhenaVDEapproved型号isneeded,
Weight: 0.54 g (typ.)
FileNo.E67349
pleasedesignatetheOption(D4).

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

特性符号测试条件最小Typ.*最大单位
Forward voltageVF ―IF = 5 mA, Ta = 25 °C―1.551.70V
∆VF/∆Ta ―IF = 5 mA―−2.0―mV/°C
Input capacitanceCT ―V = 0 V , f = 1 MHz,Ta = 25 °C―45―pF
IOPH1V8-6 = 4 V―−0.4−0.2
Output currentIOPH2V8-6 = 10 V―−0.67−0.4
(Note 8)IOPL1V6-5 = 2 V0.20.35―
IOPL2V6-5 = 10 V0.40.63―
“H”Level VOH 36.08.5―
Output voltageVCC = 10 VV
“L”Level VOL 4―0.41.0
“H”Level ICCH 5IF = 10 mA―1.42.0
Supply currentmA
“L”Level ICCL 6IF = 0 mA―1.32.0
Threshold input current L→ H IFLH ―VCC = 15 V, VO > 1 V―2.55mA
Threshold input voltage H→ L VFHL ―VCC = 15 V, VO < 1 V0.8――V
Supply voltageVCC ――10―30V
General precautionto static electricity (ESD)is necessary for handling thiscomponent.TLP351

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深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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