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TLP541G(N,F) 晶体管输出光耦

正向电压 VF 1.3正向电流 IF 70隔离电压 VISO 1011工作温度 TA 5000

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

关键参数速览

正向电压 VF
1.3
正向电流 IF
70
隔离电压 VISO
1011
工作温度 TA
5000

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

Characteristic符号额定值单位
Forward currentI70mA
Forward current derating (Ta ≥ 25°C)∆I / °CΩ0.7mA / °C
Peak forward current (100 µs pulse,100 pps) I1A
Junction temperatureT125°C
Peak forward voltage (R = 27kΩ)V400V
OnΩstate currentI150mA
OnΩstate current derating (Ta ≥ 25°C)∆I / °CΩ2.0mA / °C
Peak one cycle surge currentI2A
Junction temperatureT100°C
Storage temperature rangeTΩ55~125°C
Operating temperature rangeTΩ30~100°C
Lead soldering temperature (10 s)T260°C
Isolation voltage (AC, 1 min., R.H. ≤ 60%)(Note) BV2500V
数据来源:原厂规格书

安全与绝缘额定值(DIN EN/IEC 60747−5−5)

Characteristic符号额定值单位
TLP541G, TLP542G

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

Characteristic符号测试条件最小典型最大单位
Forward voltageV I= 10 mA1.01.151.3V
CapacitanceC V= 0, f = 1 MHz―30―pF
Ta =25°C ―105000nA
GK Ta =100°C ―1100µA
Ta =25°C ―105000nA
GK Ta =100°C ―1100µA
OnΩstate voltageV I= 100 mA―0.91.3V
Holding currentI R= 27 kΩ―0.21mA
OffΩstate dv/dtdv/dt V= 280 V, R = 27 kΩ510―V/µs
V= 0, f = 1 MHz Anode togate ―20―
CapacitanceCpF
Gate tocathode ―350―
Trigger LED currentI V= 6 V, R = 27 kΩ147mA
TurnΩon timet I= 50 mA, R = 27 kΩ―10―µs
C V= 0, f = 1 MHz―0.8―pF
Isolation resistanceR V= 500 V, R.H. ≤ 60%―1011―Ω

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