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TLP785(GR-TP6,F(C 晶体管输出光耦

正向电压 VF 1.3正向电流 IF 1.3集电极-发射极电压 VCEO 80工作温度 TA 50

产品实拍图

本页为博科信现货实拍(器件丝印 见规格书)。图片已加防盗水印,需要最新批次照片或未加水印原图请联系销售;点击图片可放大。

关键参数速览

正向电压 VF
1.3
正向电流 IF
1.3
集电极-发射极电压 VCEO
80
工作温度 TA
50

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

Characteristic符号额定值单位
Forward currentIF60mA
Forward current derating (Ta ≥ 39°C)ΔIF / °C−0.7mA / °C
Pulse forward current(Note 2) IFP1A
Power dissipationPD90mW
Power dissipation derating (Ta ≥ 39°C)ΔPD / °C−0.9mW / °C
Junction temperatureTj125°C
Collector−emitter voltageVCEO80V
Emitter−collector voltageVECO7V
rotceteD Collector currentIC50mA
Power dissipation (single circuit)PC150mW
(Ta ≥ 25°C)ΔPC / °C−1.5mW / °C
Junction temperatureTj125°C
Operating temperature rangeTopr−55 to 110°C
Storage temperature rangeTstg−55 to 125°C
Lead soldering temperature (10 s)Tsol260°C
Total package power dissipationPT240mW
(Ta ≥ 25°C)ΔPT / °C−2.4mW / °C
数据来源:原厂规格书

安全与绝缘额定值(DIN EN/IEC 60747−5−5)

备注1:WhenaEN60747-5-5approved型号isneeded,please
(AC:5kVRMS(min)).
TLP785Fis aleadforming typefor thelongcreepagesurfacemounting
TOSHIBA 11-5L1
Weight: 0.25 g (typ.)
No.5A,FileNo.E67349
EN60950-1,EN62368-1
7.62 mmPitch10.16 mmPitch
StandardTypeTLPxxxFType
TOSHIBA 11-5L102
Creepagedistance7.0 mm(min)8.0 mm(min)
Weight: 0.25 g (typ.)
Clearance7.0 mm(min)8.0 mm(min)
Innercreepagedistance4.0 mm(min)4.0 mm(min) 1 4 2 3 1 : Anode 2 : Cathode 3 : Emitter
4 : Collector 2010-11 1 2017-04-28

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

Characteristic符号测试条件最小典型最大单位
Forward voltageVF IF= 10 mA1.01.151.3V
CapacitanceCT V= 0 V, f = 1 MHz―30―pF
V(BR) CEO IC= 0.5 mA80――V
rotceteDV(BR) ECO IE= 0.1 mA7――V
VCE = 24 V―0.010.1μA
VCE = 24 V ,Ta = 85°C―0.650μA
Capacitance (collector to emitter)CCE V= 0 V, f = 1 MHz―6―pF
IF= 5 mA, VCE = 5 V50―600
TLP785,TLP785F

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营业时间:周一至周六 9:30 — 18:00
深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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