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TLP785(TEL,F(C 晶体管输出光耦

正向电压 VF 1.3电流传输比 CTR 5 V正向电流 IF 1.3集电极-发射极电压 VCEO 80工作温度 TA 50

产品实拍图

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关键参数速览

正向电压 VF
1.3
电流传输比 CTR
5 V
正向电流 IF
1.3
集电极-发射极电压 VCEO
80
工作温度 TA
50

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

Characteristic符号额定值单位
Forward currentIF60mA
Forward current derating (Ta ≥ 39°C)ΔIF / °C−0.7mA / °C
Pulse forward current(Note 3) IFP1A
Power dissipationPD90mW
Power dissipation deratingΔPD / °C−0.9mW / °C
Junction temperatureTj125°C
Collector−emitter voltageVCEO80V
Emitter−collector voltageVECO7V
rotceteD Collector currentIC50mA
Power dissipation (single circuit)PC150mW
(Ta ≥ 25°C)ΔPC / °C−1.5mW / °C
Junction temperatureTj125°C
Operating temperature rangeTopr−55 to 110°C
Storage temperature rangeTstg−55 to 125°C
Lead soldering temperature (10s)Tsol260°C
Total package power dissipationPT240mW
(Ta ≥ 25°C)ΔPT / °C−2.4mW / °C
数据来源:原厂规格书

安全与绝缘额定值(DIN EN/IEC 60747−5−5)

最小最大
TLP785,TLP785F
(Note 3): 100 μs pulse, 100 Hz frequency
(Note 4): AC, 1 min., R.H.≤ 60%. Apply voltage I - Ta 100 80 40to LED pin and detector pin together. 2 2012-02-20 P - Ta 200 160 80
rotcelloCmaximum limit to the
-20 020 40 60 80 100 120
Ambient temperature Ta (˚C) -1.8 egatlov drawroFAmbient temperature Ta (˚C) tnerruc 1 -1
Forward current IF (mA) PF 13Forward voltage V (V) 100 2012-02-20

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

Characteristic符号测试条件最小典型最大单位
Forward voltageVF IF= 10 mA1.01.151.3V
CapacitanceCT V= 0V, f = 1 MHz―30―pF
breakdown voltageV(BR) CEO IC= 0.5 mA80――V
rotceteD breakdown voltageV(BR) ECO IE= 0.1 mA7――V
VCE = 24 V―0.010.1μA
VCE = 24 V ,Ta = 85°C―0.650μA
CCE V= 0V, f = 1 MHz―6―pF
50―600
Current transfer ratioIC / IF IF= 5 mA, VC E = 5 V%
100―600
―60―
Saturated CTRIC / IF (sat) IF= 1 mA, V CE = 0.4 V RankGB%
30――
IC= 2.4 mA, IF = 8 mA――0.4
voltageVCE (sat) IC= 0.2 mA, IF = 1 mA―0.2―V
――0.4
TLP785,TLP785F

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包装型号
Quantity Tape Time ecafrus Time(must be a multiple of 4000) type (s) 190 (s)

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营业时间:周一至周六 9:30 — 18:00
深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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