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TPD2E001DRLR 驱动芯片

The TPD2E001 is a low-capacitance – 15-kV ESD-protection diode array designed to protect sensitive electronics attached to communication lines. Each channel consists of a pair of diodes that steer ESD
正向电压 VF 0.95正向电流 IF –25电源电压 VCC 5.5工作温度 TA V CC + 25

产品实拍图

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产品应用与封装尺寸

图纸取自原厂规格书,点击可放大查看原始尺寸标注。

引脚定义与内部结构

引脚符号名称
1SON
2GND
3QFN
4GND
7V
数据来源:原厂规格书引脚图

关键参数速览

正向电压 VF
0.95
正向电流 IF
–25
电源电压 VCC
5.5
工作温度 TA
V CC + 25

产品特点 Features

  • TPD2E001

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

最小最大单位
V –0.37V
V –0.3V + 0.3V
T Storage temperature range –65150C
T Junction temperature150C
Infrared (15 s)220
Bump temperature (soldering)C
Vapor phase (60 s)215
Lead temperature (soldering, 10 s)300C
数据来源:原厂规格书

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

参数测试条件最小TYP(1)最大单位
V Supply voltage0.95.5V
I Supply current1100nA
V Diode forward voltage I= 10 mA0.650.95V
V Breakdown Voltage I= 10mA11V
TA = 25 C, – 15-kV HBM, PositivetransientsV CC + 25
IF = 10 A Negativetransients–25
T= 25 C, PositivetransientsV + 60
V Channel clamp voltage(2) –8-kV Contact DischargeV
CNegativetransients–60
T= 25 C, PositivetransientsV+ 100
Negativetransients–100
I Channel leakage current V= GND to V– 1nA
C Channel input capacitance V= 5 V, Bias of V /21.5pF

应用领域 Applications

0.1 µFT IO1Controller TWireless

资料下载

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营业时间:周一至周六 9:30 — 18:00
深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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