博科信光耦 BOKEXIN 博科信光耦BOKEXIN OPTOCOUPLER
首页 › 产品目录 › VNL5160N3TR-E

VNL5160N3TR-E SO-8

■ Overvoltage clamp The VNL5160N3-E and VNL5160S5-E are ■ Thermal shutdown monolithic devices, made using ■ Current and power limitation intended for driving resistive or inductive loads ■ Very low st
SO-8

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

产品应用与封装尺寸

图纸取自原厂规格书,点击可放大查看原始尺寸标注。

产品特点 Features

  • Type V R I clamp DS(on) D
  • VNL5160N3-E 2
  • 41 V 160 mΩ 3.5 A 1
  • VNL5160S5-E
  • SOT-223 SO-8
  • Drain current:3.5A
  • Contents VNL5160N3-E, VNL5160S5-E
  • Contents
  • 1 Block diagrams and pins configurations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
  • 2 Absolute maximum rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
  • 2.1 Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
  • 2.2 Thermal data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
  • 3 Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
  • 4 Application information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
  • 4.1 MCU I/O protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
  • 5 Package and PC board thermal data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

值单位
SOT-223 SO-8
V Drain-source voltage (VIN=0V) Internally clampedV
I DC supply current - -1 to10 mA
I DC input current -1 to 10mA
I DC status current - -1 to10 mA
数据来源:原厂规格书

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

符号参数测试条件最小典型最大单位
IN supplyj
V3.555.5V
160170mΩ
ROn-state resistanceI = 1 A; T = 25 °C320mΩ
VV = 0 V; I = 1 A414652V
VV = 0 V; I = 2 mA36V
V = 0 V; V = 13 V; T = 25°C 03
IOff-state output currentµA
V = 0 V; V = 13 V; T = 125°C 05
VForward on voltage I= 1 A; V = 0 V0.8V
IIN supply30110µA
I= 1 mA5.57V
I= -1 mA-0.7V
VV= V ; I = 1 mA13.5V
1. Valid forVNL5160N3-E option (input& supply pins connected together).
VI = 1 mA0.5V
IStatus leakage current10µA
C100pF
I = 1 mA5.57V
I = -1 mA-0.7V
V Inputlow level voltage0.9V
I Lowlevel input currentV = 0.9 V1µA
V Inputhigh level voltage2.1V
I Highlevel input currentV = 2.1 V10µA
V Inputhysteresis voltage0.13V
I = 1 mA5.57V
I = -1 mA-0.7V
VV = 0 V0.61.21.7V
Off-state T = 25 °C; V = V j IN= 0 V; DRAIN1025µA
On-state T = 25 °C; V = 5 V; j INV = 0 V DS25110µA
I= 1mA5.57V
I= -1mA-0.7V

应用领域 Applications

INPUT DRAIN protSOURCE4.1 MCU I/O protectionCalculation example:For the following conditions:I ≥ 20mA latchupV ≥ 4.5V35Ω ≤ R ≤100kΩ.Recommended value is R =10kΩ protVNL5160x - Single PulseRepetitive pulse Tjstart=100°CRepetitive pulse Tjstart=125°C

资料下载

规格书为原厂公开资料,点击在新窗口打开下载。

获取报价 / 申请样品

常备现货、免费送样、支持小批量试产。报出用量与封装要求,当天给报价与交期。

咨询此型号 · 现货询价

型号:VNL5160N3TR-E 请报型号与数量
销售电话(点击直接拨号)
📞 0755-82811939点击拨号📞 0755-82812373点击拨号📞 0755-82811915点击拨号📞 0755-82811193点击拨号
企业 QQ(点击发起会话)
💬 QQ 2850611261点击会话💬 QQ 2355817597点击会话💬 QQ 3002728093点击会话💬 QQ 2355817598点击会话
营业时间:周一至周六 9:30 — 18:00
深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
产品图片放大预览
1 / 1
滚轮缩放 · 拖动平移 · 点击图片放大 2 倍 · ← → 切换 · Esc 关闭