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BSC011N03LS MOSFET 场效应管

OptiMOS™30V products are class leading power density and energy efficient solutions. Ultra low gateand with lowest on state resistance in small footprint the best choice for the demanding requirements
原厂规格书参数现货供应

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

产品应用与封装尺寸

图纸取自原厂规格书,点击可放大查看原始尺寸标注。

产品特点 Features

  • Optimized for high performance buck converters
  • 100% avalanche tested
  • Very low on-resistance R @ V =4.5 V
  • DS(on) GS
  • N-channel
  • OptiMOS™ Power-MOSFET
  • BSC011N03LS

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

参数符号值单位备注/测试条件
Continuous drain currentI -- 100AV=10V, T =25 °C
DGSC
-- 100V=10V, T =100 °C
-- 100V=4.5V, T =25 °C
-- 100V=4.5V, T =100 °C
-- 37V=10V, T =25 °C,
R=50K/W1))
Pulsed drain current2)I -- 400T=25°C
Avalanche energy, singlepulse E -- 190mJI =50A,R =25 Ω
ASDGS
Gate source voltageV-20 - 20V
Power dissipationP -- 96WT=25°C
-- 2.5T=25°C, R =50 K/W1))
OptiMOS™Power-MOSFET BSC011N03LS
数据来源:原厂规格书

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

参数符号值单位备注/测试条件
Drain-source breakdownvoltage V 30- -VV=0V, I =1.0 mA
(BR)DSSGSD
Gate threshold voltageV 1- 2.2V=V, I =250 µA
GS(th)DSGS D
Zero gate voltage draincurrent I -0.1 1µAV=30V, V =0 V,
DSSDS T=25°CGS
-10 100V T=125=30V, V =0 V, °C
Gate-source leakagecurrent I -10 100nAV=20V, V =0 V
GSSGSDS
Drain-source on-stateresistance R -1.1 1.4mΩV=4.5V, I =30 A,
DS(on)GSD
-0.9 1.1V=10V, I =30 A,
Gate resistanceR -0.6 -Ω
Transconductanceg 85170 -S|V|>2|I| ,
fsDS I =30AD RDS(on)max BSC011N03LS
I=f(V); T=25°C; parameter: VR=f(I ); T=25 °C; parameter: V
DDSjGSDS(on)D j GS
I=f(VGS);|V |>2|I|Rg=f(I );T=25 °C
DDSD DS(on)maxfsDj
PreliminaryDataSheet62.0, 2011-03-01

应用领域 Applications

Superior thermal resistancePb-free plating; RoHS compliantHalogen-free according to IEC61249-2-21On board power for serverSynchronous rectificationTable 1 Key Performance ParametersParameter Value UnitV 30 VR 1.1 mΩDS(on),maxI 100 AQ 40 nC

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营业时间:周一至周六 9:30 — 18:00
深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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