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CYTLP184(GB-TP) 晶体管输出光耦

正向电压 VF 1.4反向电压 VR 6正向电流 IF ±50集电极-发射极电压 VCEO 80隔离电压 VISO 3750工作温度 TA 50

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

产品应用与封装尺寸

图纸取自原厂规格书,点击可放大查看原始尺寸标注。

关键参数速览

正向电压 VF
1.4
反向电压 VR
6
正向电流 IF
±50
集电极-发射极电压 VCEO
80
隔离电压 VISO
3750
工作温度 TA
50

产品特点 Features

  • 参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
  • 正向电压 V I =±10mA 1.1 1.25 1.4 V
  • 反向电流 I V =5V 10 µA
  • 输入端电容 C in V=0, f=1MHz - 60 - pF
  • V =70V 100 nA
  • 集电极暗电流 I CE
  • V =70V,Ta=85°C - 2 50 µA
  • 发射极-集电极击穿电压 BV I =0.5mA, I =0 80 V
  • CEO C F
  • 集电极暗电流 BV I =0.1mA, I =0 7 V
  • ECO E F
  • I =±5mA, V =5V 50 400
  • 隔离电容 Cf V=0, f=1MHz 0.6 1.0 pF
  • 集电极-发射极电容 C V=0, f=1MHz 10 pF
  • 输入-输出电容 C V=0, f=1MHz 0.8 pF
  • V =5V, I =2mA,

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

参数符号额定值单位
正向电流I±50mA
正向脉冲电流I±1A
反向电压V6V
功耗P70mW
结温Tj125°C
集电极功耗P150mW
集电极电流I50mA
集电极-发射极电压V80V 2022-03-20 CYTLP184
发射极-集电极电压V7V
结温Tj125°C
总功耗Ptot200mW
隔离电压Viso3750Vrms
工作温度Topr-55~+110°C
储存温度Tstg-55~+125°C
焊接温度Tsol260(10s)°C
数据来源:原厂规格书

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

参数符号条件最小值典型值最大值单位
正向电压VI =±10mA1.11.251.4V
反向电流IV =5V10µA
输入端电容C inV=0, f=1MHz-60-pF
V =70V100nA
V =70V,Ta=85°C-250µA
发射极-集电极击穿电压BVI =0.5mA, I =080V
集电极暗电流BVI =0.1mA, I =07V
I =±5mA, V =5V50400

相关 / 可替代型号

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