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ITR9606 二极管、三极管等分立器件

The ITR9606 consist of an infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor, encased side-by-side on converging optical axis in a black Thermoplastic Housing The phototransistor receives radi
正向电压 VF 1.85正向电流 IF 50集电极-发射极电压 VCEO 30工作温度 TA -25~+85

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

产品应用与封装尺寸

图纸取自原厂规格书,点击可放大查看原始尺寸标注。

关键参数速览

正向电压 VF
1.85
正向电流 IF
50
集电极-发射极电压 VCEO
30
工作温度 TA
-25~+85

产品特点 Features

  • ․Fast response time
  • ․High analytic
  • ․Cut-off visible wavelength λp=940nm
  • ․High sensitivity
  • ․Pb free
  • ․The product itself will remain within RoHS compliant version.
  • ITR9606

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

参数符号额定值单位
ITR9606
Power Dissipation at(or below) 25℃Free
Pd100mW
Forward CurrentI50mA
Peak Forward Current (*1)
I1A
Pulse width ≦100μs, Duty cycle=1%
Collector Power DissipationP75mW
Collector CurrentI50mA
Collector-Emitter VoltageB V30V
Emitter-Collector VoltageB V5V
Operating TemperatureTopr-25~+85℃
Storage TemperatureTstg-40~+85℃
Lead Soldering Temperature (*2)
Tsol260℃
(1/16 inch form body for 5 seconds)
(*1) tw=100 μsec. , T=10 msec.(*2) t=5 Sec
数据来源:原厂规格书

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

参数符号最小典型最大单位条件
V F1---1.21.6I =20mA F
Forward VoltageV F2---1.41.85V I F=100mA,tp=100μs,tp/T=0.01
V F3---2.64.0I F=1A,tp=100μs,tp/T=0.01
Peak Wavelengthλ---940---nmI =20mA
View Angle2θ1/2---60---DegI =20mA
Dark CurrentI------100nA V=20V,Ee=0mW/cm2
Output C-E SaturationI =2mA
V (sat)------0.4VC
VoltageCE,Ee=1mW/cm2 V =5V
Collect CurrentI (ON)0.5---10mAI =20mA
Rise timet---15---μsecV =5V I =1mA
Fall timet---15---μsecC R =1KΩ

应用领域 Applications

․Mouse Copier․Switch Scanner․Floppy disk driver․Non-contact Switching․For Direct Board█ Device Selection GuideDevice No. Chip Material LENS COLORIR928-6C GaAlAs Water clearPT928-6C Silicon Water clearITR9606

资料下载

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营业时间:周一至周六 9:30 — 18:00
深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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