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TLP126(TPL,F) 晶体管输出光耦

正向电压 VF 1.3电流传输比 CTR 1200正向电流 IF 50隔离电压 VISO 3750工作温度 TA 50

产品实拍图

本页为博科信现货实拍(器件丝印 见规格书)。图片已加防盗水印,需要最新批次照片或未加水印原图请联系销售;点击图片可放大。

引脚定义与内部结构

引脚符号名称
1Anode, Cathode
3Cathode, Anode
4Emitter
6Collector
数据来源:原厂规格书引脚图

关键参数速览

正向电压 VF
1.3
电流传输比 CTR
1200
正向电流 IF
50
隔离电压 VISO
3750
工作温度 TA
50

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

Characteristic符号额定值单位
Forward currentI50mA
Forward current derating (Ta≥ 53°C) ∆∆I / °CΩ0.7mA / °C
Peak forward current(100µs pulse,100pps)I1A
Junction temperatureT125°C
CollectorΩemitter voltageV80V
EmitterΩcollector voltageV7V
Collector currentI50mA
Peak collector current(10ms pulse,100pps)I100mA
Power dissipationP150mW
Power dissipation derating (Ta ≥ 25°C)∆P / °CΩ1.5mW / °C
Junction temperatureT125°C
Storage temperature rangeTΩ55~125°C
Operating temperature rangeTΩ55~100°C
Lead soldering temperature(10 sec.)T260°C
Total package power dissipationP200mW
Total package power dissipation derating(Ta≥25°C) ∆P / °CΩ2.0mW / °C
Isolation voltage (AC, 1min., RH ≤ 60%)(Note 1) BV3750Vrms
数据来源:原厂规格书

安全与绝缘额定值(DIN EN/IEC 60747−5−5)

Characteristic符号额定值单位
TLP126

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

Characteristic符号测试条件最小典型最大单位
Forward voltageV I= ±10 mA1.01.151.3V
CapacitanceC T V= 0, f = 1 MHz―60―pF
breakdown voltageV (BR) CEO I C= 0.5 mA80――V
rotceteD breakdown voltageV (BR) ECO I E= 0.1 mA7――V
VCE = 48 V―10100nA
VCE = 48 V, Ta = 85°C―250µA
Capacitance collector to emitterC CE V= 0, f = 1 MHz―12―pF
Current transfer ratioI / I I= ±1 mA, V = 0.5 V100―1200%
Low input CTRI / I IF= ±0.5 mA, V = 1.5 V50――%
CollectorΩemitterI C= 0.5 mA, I F = ±1 mA――0.4
I= 1 mA, I = ±1 mA―0.2―
OffΩstate collector currentI V= ± 0.7V, V = 48 V―110µA
CTR symmetryI I(I = Ω1mA) / I (I = 1mA)0.3―3—
Current transfer ratioI / I I= 1 mA, V = 0.5 V50――%
Low input CTRI / I IF= 0.5 mA, V = 1.5 V 3―50―% 2002-09-25 TLP126

相关 / 可替代型号

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深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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