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CYTLP160(TPD2) 可控硅输出光耦

CYTLP160系列产品包含一颗 GaAs红外二极管和一个双向光可控硅组成的光电耦合器。
正向电压 VF 1.5反向电压 VR 10正向电流 IF 1.5隔离电压 VISO 3750工作温度 TA -0.7

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

产品应用与封装尺寸

图纸取自原厂规格书,点击可放大查看原始尺寸标注。

关键参数速览

正向电压 VF
1.5
反向电压 VR
10
正向电流 IF
1.5
隔离电压 VISO
3750
工作温度 TA
-0.7

产品特点 Features

  • 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
  • 正向电压 V F I F =20mA 1.18 1.5 V
  • 输入 反向电流 I R V R =6V 10 μA
  • 电容 C V=0,f=1MH - 30 - pF
  • 峰值崩溃电流 I V =600V,I =0mA 100 nA
  • DRM DRM F
  • 峰值通态电压 V I =100mA peak, 2.5 V
  • TM TM
  • 断态电压临界上升率 dv/dt V =400V, IF=0 1000 V/μs
  • 断态电压临界上升率 dv/dt(C) I =15mA,V =30Vrms - 0.2 - V/μs
  • IF= Rated IFT,
  • 抑制状态下漏电 I VDRM=Rated, 500 μA
  • VDRM, off state
  • Main terminal
  • 触发电流 I 3 10 mA
  • Voltage=3V

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

参数符号额定值单位
正向电流I F60mA
正向电流降额∆IF/∆Ta-0.7mA/℃
峰值电流I1A
输入 反向电压V6V
功耗P D100mW
功耗降额∆P D/∆Ta-0.7mW/°C
结温Tj125℃
断态输出端电压V DRM600V
输出 峰值浪涌电流(pw=100μs,120pps)I TSM1A
通态 RMS 电流(Ta=25℃)I T(RMS)100mA
DS-CYTLP160-CN-V05 CYTLP160
通态 RMS 电流(Ta=70℃)I T(RMS)40mA
通态电流降额(Ta≥25℃)∆I T(RMS)/∆Ta-0.7mA/°C
功耗P O200mW
功耗降额 (Ta≥25℃)∆P O/∆Ta7.4mW/°C
结温Tj125℃
隔离电压 *Viso3750Vrms
操作温度Topr-55~+100°C
储存温度Tstg-55~+125°C
焊接温度(10s)Tsol260°C
数据来源:原厂规格书

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
正向电压V F I F =20mA1.181.5V
输入 反向电流I R V R =6V10μA
电容C V=0,f=1MH-30-pF
峰值崩溃电流I V=600V,I =0mA100nA
峰值通态电压V I=100mA peak,2.5V
断态电压临界上升率dv/dt V=400V, IF=01000V/μs
断态电压临界上升率dv/dt(C) I =15mA,V=30Vrms-0.2-V/μs
抑制状态下漏电IVDRM=Rated,500μA
触发电流I310mA
输入到输出电容C Vs=0,f=1MH-0.8-pF
隔离电阻RVS=500V,RH≤60%1X1012
隔离电压BV AC,1minute3750Vrms

特性曲线(Typical Performance Curves)

相关 / 可替代型号

以上型号来自规格书与型号命名比对,参数需以各自规格书为准;下单前请与销售确认封装与脚位。

应用领域 Applications

 隔离线接收器 电磁/阀控制 光控制 静态电源开关结构原理图和封装极限参数 (Ta=25C)参数 符号 额定值 单位正向电流 IF 60 mA正向电流降额 ∆IF/∆Ta -0.7 mA/℃峰值电流 IFP 1 A反向电压 VR 6 V功耗 PD 100 mW

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营业时间:周一至周六 9:30 — 18:00
深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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