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CYM3063S(TP) SMD

CYM306X 系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及 功率双向可控硅控制单元,可应用于交流负载及电感负载等电路之间的信号传输,使输入端与负载完全隔离,目的在 于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。 The CYM306X series devices are optoelectronic coupling components con
SMD正向电压 VF 1.5正向电流 IF 3隔离电压 VISO 5000

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

产品应用与封装尺寸

图纸取自原厂规格书,点击可放大查看原始尺寸标注。

关键参数速览

正向电压 VF
1.5
正向电流 IF
3
隔离电压 VISO
5000

产品特点 Features

  •  峰值击穿电压
  • Peak breakdown voltage
  • 600V: CYM306X
  •  输入输出之间高隔离电压(Viso=3750V rms )
  • 参数 符号 条件 最小值 典型 最大值 单位
  • Parameter Symbol Condition Min. Typ. Max. Unit
  • 正向电压 I
  • 输入 V F=30mA 1.5 V
  • Forward Voltage F
  • Input
  • 反向电流 I V
  • R=6V 10 μA
  • Back current
  • 断态峰值电流 V =Rated V ,
  • DRM DRM
  • Off-state peak CYM306X I I 500 nA

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

符号额定值单位
60 6 100mA V mW
额定值降低因子(Ta=85℃以上) P
Power dissipation3.8mW/℃
Derating factor (above Ta = 85°C)
CYM306X V DRM600V
output 峰值重复浪涌(pw=100μs,120pps)
Peak repetitive surge current TSM1A
(pw=100μs,120pps)
T(RMS)100mA
整体功耗在环境温度为25℃时300mW
额定值降低因子(Ta=85℃以上) P
Power dissipation7.6mW/℃
Derating factor (above Ta = 85°C
整体功耗在环境温度为25℃时
Ptot330mW
Viso5000Vrms
数据来源:原厂规格书

安全与绝缘额定值(DIN EN/IEC 60747−5−5)

特性特性2
无铅和符合EU REACH 和RoHS
Fig.5 Holding current vs TemperatureFig.6 Leakage current vs Temperature
Fig.7 Inhibit state leakage current vs Ambient temperatureFig.8 Inhibition voltage vs Ambient temperature

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

参数符号条件最小典型最大单位
输入VF=30mA1.5V
R=6V10μA
Off-state peakCYM306X II500nA
输出 On-state peak voltageV TM dv/dtI F=Rated I FT10003V
Suppression voltage (MT1-MT2will not V INH I F= Rated I FT20V
Leakage current in suppressionstateDRMμA
DRM2DRM500
LED trigger10

特性曲线(Typical Performance Curves)

相关 / 可替代型号

以上型号来自规格书与型号命名比对,参数需以各自规格书为准;下单前请与销售确认封装与脚位。

应用领域 Applications

CYM306X产品型号命名规则Order CodeCY M306X W ( V ) ( ZZ )1 2 3 4 51. 公司代码: CY代表公司简称2. 产品系列: M306XProduct series: M306X3. 封装形式:W代表封装形式,空代表DIP,S代表SMD

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营业时间:周一至周六 9:30 — 18:00
深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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